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기출문제 정답 검증

2026 국가직 9급 공무원 전자공학개론 기출문제

가책형 · 20문제 · 제한시간 20분 · 온라인 CBT

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1

다음 중 작은 저항값을 갖는 부하를 구동하기 위한 전압버퍼로 사용하기에 가장 적절한 증폭기는?

2

10진수 −15를 8비트 2의 보수 형태로 표현하면?

3

OSI(open system interconnection) 계층 중 송신 프로세스와 수신 프로세스를 서로 연결하는 기능을 수행하는 것으로서, 프로세스를 구분하기 위해 포트 번호를 부여하는 계층은?

4

FM 송신단에 사용되는 프리엠퍼시스(pre-emphasis) 필터와 FM 수신단에 사용되는 디엠퍼시스(de-emphasis) 필터를 바르게 연결한 것은?

5

다음 (가) 입력 v_in을 (나) 회로에 인가했을 때, 출력 전압 v_out의 최댓값과 최솟값의 합[V]은? (단, 다이오드는 이상적이다)

  • (가) 입력 v_in: 진폭 ±5 V의 코사인 파형 (피크 +5, 최저 −5)
  • (나) 회로: v_in의 + 입력 단자가 3 V 직류 전압원(− 좌측, + 우측)을 거쳐 다이오드(정방향: 좌→우) 양극에 연결, 다이오드 음극과 v_in의 − 단자(접지) 사이에 부하저항 R 연결. v_out은 R 양단 전압.
6

다음 진리표를 갖는 출력 F의 논리식은? (단, ×는 무관항이다)

  • A B C D — F
  • 0 0 0 0 — ×
  • 0 0 0 1 — 1
  • 0 0 1 0 — ×
  • 0 0 1 1 — 1
  • 0 1 0 0 — ×
  • 0 1 0 1 — 1
  • 0 1 1 0 — 1
  • 0 1 1 1 — ×
  • 1 0 0 0 — 0
  • 1 0 0 1 — 0
  • 1 0 1 0 — 0
  • 1 0 1 1 — 0
  • 1 1 0 0 — 1
  • 1 1 0 1 — 0
  • 1 1 1 0 — 0
  • 1 1 1 1 — 1
7

다음 회로에서 스위치가 오랜 시간 동안 열린 상태에 있다가 t = 0 [s]일 때 닫힌다면 i_C(0⁺) [A], v_C(∞) [V], i_L(∞) [A]는?

  • 회로: 24 V 전압원 → 4 Ω(좌측 직렬) → 인덕터 L(상단 가지, 전류 i_L 우향) → 상단 우측 노드.
  • 상단 우측 노드 → 3 Ω → 커패시터 C(우측 직렬) → 바닥 접지로 복귀(여기서 i_C는 아래 방향).
  • 상단 우측 노드와 바닥 접지 사이에 스위치(t = 0에서 닫힘)가 있음.
8

반도체 다이오드에 대한 설명으로 옳지 않은 것은?

9

다음 증폭기 회로의 전압이득 |V_out / V_in|에 비례하는 것으로 옳은 것만을 모두 고르면? (단, I_B는 이상적인 정전류원이고 C = ∞, BJT Q₁은 활성영역에서 동작한다)

  • 회로: Vcc — R(컬렉터 부하) — Q1 컬렉터 → V_out. Q1 베이스에 V_in 인가. Q1 이미터는 정전류원 I_B(아래로 흐름)에 연결되고 동시에 커패시터 C(접지로 매우 큰 용량)에도 연결됨.
  • ㄱ. 저항 R
  • ㄴ. Q1의 이미터 면적
  • ㄷ. 바이어스 전류 I_B
  • ㄹ. 바이어스 전압 V_CC
10

다음 4 × 1 멀티플렉서에서 출력 Z의 논리식은? (단, 데이터선택 입력의 순서는 다음과 같다)

  • 입력 I₀ = C, I₁ = C̄, I₂ = 1, I₃ = 0
  • 선택 입력 A B → 출력 Z
  • 0 0 — I₀
  • 0 1 — I₁
  • 1 0 — I₂
  • 1 1 — I₃
11

다음 회로에서 R₄에 흐르는 전류 I [A]는?

  • 회로 구성:
  • 좌측 84 V 전압원의 + 단자에서 R₂ = 3 Ω이 위로 올라가 R₁ = 6 Ω 한쪽 끝(좌측 노드)에 도착, R₁의 다른 쪽(우측)과 R₂의 위 끝에서 R₃ = 12 Ω을 거쳐 중간 노드 도달.
  • 중간 노드에서 R₄ = 6 Ω이 아래(접지)로 연결되며 그 가지의 전류가 I.
  • 중간 노드에서 R₅ = 3 Ω을 거쳐 우측 21 V 전압원의 + 단자에 연결됨.
  • 84 V와 21 V 전원의 − 단자는 공통 접지.
12

MOSFET과 BJT의 특징으로 옳은 것만을 모두 고르면?

  • ㄱ. MOSFET은 BJT보다 전력 소모가 크다.
  • ㄴ. MOSFET은 전계효과로 전류가 제어된다.
  • ㄷ. MOSFET은 게이트 단자가 절연되어 있다.
  • ㄹ. MOSFET와 BJT 모두 전자와 정공 두 종류의 캐리어에 의해 전류가 형성된다.
13

다음 전력용 MOSFET에 대한 설명으로 옳지 않은 것은? (단, 소스-드레인 사이의 PN 다이오드는 제조공정에서 만들어지는 내장된 내부 다이오드이다)

  • 회로 기호: D(드레인) 위쪽, S(소스) 아래쪽, G(게이트) 좌측. 드레인-소스 사이에 내부 다이오드(소스→드레인 방향)가 병렬 연결됨.
  • v_GS는 게이트-소스 양단 전압(+G, −S).
14

다음 연산증폭기 회로에 대한 설명으로 옳은 것은? (단, 연산증폭기는 이상적이다)

본문 캡처 필요

연산증폭기 회로 다이어그램

15

다음 디지털 회로에 대한 설명으로 옳은 것은?

본문 캡처 필요

디지털 논리 회로

16

신호 변조 방식에 대한 설명으로 옳은 것은?

17

다음 증폭기 회로의 출력 신호에 대한 설명으로 옳은 것은?

본문 캡처 필요

증폭기 회로

18

다음 디지털 회로 설명으로 옳은 것은?

본문 캡처 필요

디지털 회로

19

다음 통신 시스템 관련 설명으로 옳은 것은?

20

다음 통신 신호 처리에 대한 설명으로 옳은 것은?

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